来源：北极星输配电网2016-03-14

另外，开关管的驱动波形，mosfet漏源波形等都是接近矩形波形状的周期波。因此，其频率是mhz级别的，这些高频信号对开关电源的基本信号，特别是控制电路的信号造成干扰。

来源：OFweek电子工程网2016-03-14

另外，开关管的驱动波形，mosfet漏源波形等都是接近矩形波形状的周期波。因此，其频率是mhz级别的，这些高频信号对开关电源的基本信号，特别是控制电路的信号造成干扰。

来源：cnbeta网站2016-01-04

在射频领域，已研制出性能极高的零带隙大面积石墨烯ｍｏｓｆｅｔ、双层石墨烯ｆｅｔ等产品；在石墨烯数字逻辑方面，已出现了双层石墨烯晶体管、纳米带晶体管和隧穿ｆｅｔ及相关电路。

来源：电工学2015-11-27

20世纪60年代以后，电力电子器件经历了scr(晶闸管)、gto(门极可关断晶闸管)、bjt(双极型功率晶体管)、mosfet(金属氧化物场效应管)、sit(静电感应晶体管)、sith(静电感应晶闸管)

来源：电子发烧友2015-11-24

充放电保护电路关键元件 mosfet也有一定比率的短路失效，如果锂电池产量并不大，那么这个效果就不会体现出来。但是锂电池的需求量非常大，仅2014年全球小型锂电池出货量就达56亿颗。

来源：《电网技术》2015-10-23

mosfet s1和s2控制scec系统的输出电流，而s3用于防止电容器通过二极管d2放电，在放电开始时s3将闭合。实验过程中，分别记录sc和ec的输出电压、电流，并在matlab中分析。...如图4所示，电容器组通过一个基于mosfet的boost变换器对负载电阻放电，电流互感器(带宽100 khz)采样放电电流，并将电流信号传输至dspic30f2020控制器来实现闭环恒流控制。

来源：EET2015-07-27

自1957年第一个晶闸管问世以来，大功率的模拟电力电子器件已经走过了近50年的发展历程，可关断晶闸管(gto)、电力晶体管(gtr)、mos可控晶闸管(mct)、电力mosfet以及绝缘栅极双极晶体管(

来源：文库2015-07-22

当.一旦升高时，ic脚7就输出宽一些的驱动脉冲，使mosfet导通时间变长，从而使降至设定的稳压值值得说明的是，这种开关稳压电源要求dc输出电压必须高于峰值ac输=入电压，因此对mosfet的耐压要求较高

来源：电子产品世界2015-07-14

目前，各种固态继电器使用的输出器件主要有晶体三极管(transistor)、单向可控硅(thyristor或scr)、双向可控硅(triac)、mos场效应管(mosfet)、绝缘栅型双极晶体管(igbt...目前，各种固体继电器使用的输出器件主要有晶体三极管(transistor)、单向可控硅(thyristor或scr)、双向可控硅(triac)、mos场效应管(mosfet)、绝缘栅型双极晶体管(igbt

来源：广州金升阳科技有限公司2015-06-25

宽禁带宽度材料，sic mosfet具有相当低的漏电流，更适应在高电压环境中的应用;日前，mornsun与sic mosfet行业龙头企业合作，打造了一款sic mosfet专用的隔离转换dc-dc模块电源

来源：广州金升阳科技有限公司2015-06-16

二、sic mosfet与si igbt性能对比目前市面上常见的sic mosfet电流均不大于50a，以常见的1200v/20a为例，列举了cree公司与rohm公司的sic mosfet管的部分电气参数

来源：中国节能产业网2015-06-01

2.关键技术(1)高效三相pfc交错技术，采用先进的sic二极管和st的stw57n65m5mosfet来提高pfc部分的效率，减小损耗和原材料的使用。

来源：北极星电力网2015-05-28

使用isl8117，工程师能够设计只需10个元件(包括mosfet和被动元件)的完整dc/dc降压转换解决方案，并实现最高98%的转换效率和达到1.5%的输出电压精度。

来源：国际电力网2015-05-22

安森美半导体将推出更多低功率产品如ncp1060、ncp1070，将脉宽调制(pwm)控制器和mosfet集成到单个封装中。我们的集成转换器减少了元器件总数量，且更易于实现设计。

来源：与非网2015-05-20

4)驱动电路选用东芝半导体公司生产的高速光耦隔离型igbt/mosfet驱动芯片tlp250.tlp250具有隔离电压高、驱动能力强、开关速度快等特点。驱动电路的原理图如图3所示。

来源：与非网2015-04-28

hitfet+(高集成度温度保护mosfet)低边开关具备突出特性，比如诊断功能、数字状态反馈和短路防护以及前所未有的受控斜率调节功能，能轻松平衡开关损失和emc兼容性。...对于需要mosfet保护功能的众多汽车与工业应用而言，hitfet+是正确之选在汽车应用领域，hitfet+产品可驱动电磁阀，实现高达20khz的pwm(脉宽调制)阀门控制。

来源：电子发烧友2015-04-20

其中，由于igbt效率损耗较大导致系统效率偏低，考虑如果采用损耗较小的mosfet，系统效率会至少上升10%~15%.

来源：华强北电子市场2015-04-10

元件并于15mm x 15mm x 4.92mm bga封装中包含了电感、 dc/dc 稳压器、 mosfet及支援零组件。

来源：OFweek 电子工程网2015-04-03

小巧的封装外形和高低边mosfet在封装内的优化互连，可最大限度地降低环路电感，从而实现最优的系统性能。...英飞凌科技股份公司2015年3月24日推出了optimos 5 25v和30v产品家族，它们是采用标准分立式封装的新一代功率mosfet。

来源：OFweek 工控网2015-03-04

公司逐步建立形成亚洲最大的高压变频带载实验站，成为国内最大的高压变频生产基地，基于igbt、mosfet电力电子器件的专用功率模块(asipm)是现代电力电子技术的具体应用，对我国现代通讯、电子仪器、计算机