来源：中国IGBT技术创新与产业联盟2016-10-21

株洲中车时代电气副总工程师刘国友、株洲中车时代电气半导体事业部igbt制造中心副主任罗海辉博士应邀就新型功率半导体器件国家重点实验室、汽车igbt芯片与模块技术研究做了专题学术报告，同时，来自中国科学院微电子研究所

来源：正尔科技2016-09-22

目前我国igbt芯片约99%左右的市场仍为国外企业所占据。

来源：北极星输配电网2016-09-19

重点项目：依托西安高新区、西安经开区、航空基地、航天基地等重点园区，加快推进集成电路代工、8英寸igbt芯片、4英寸inp(磷化铟)工艺线、mems器件、高端sic半导体功率器件、单晶硅抛光片等重大制造项目

来源：ittbank2016-09-18

华润上华和华虹宏力基于6英寸和8英寸的平面型和沟槽型1700v、2500v和3300v igbt芯片已进入量产。...、大电流6500v igbt芯片设计、芯片工艺研发制造技术的重大突破，特别是攻克了6500v igbt关断安全工作区，短路工作区等关键技术瓶颈。

来源：电子产品世界2016-07-12

igbt芯片的尺寸越来越小，厚度越来越薄，功耗也越来越低。第七代igbt产品的寿命和可靠性也有了大幅度提升。...igbt和ipm齐头并进针对工业应用，三菱电机设计了g1系列ipm，它是一种壳式的智能功率模块，把igbt芯片驱动和保护电路集成在一起。它功耗低，尺寸小，产品线较丰富。

来源：中国证券网2016-04-13

国内企业在igbt芯片、模块上也取得了快速的进展。...其中，中国南车通过并购英国dynex半导体，成立功率半导体海外研发中心，迅速掌握了先进的1200v-6500vigbt芯片设计、工艺制造及模块封装技术，并且在株洲建设了一条先进的8英寸igbt芯片及其封装生产线

来源：株洲新闻网2016-01-08

更重要的是，此举首次将具有完全自主知识产权的高压igbt芯片和模块产品批量应用于柔性直流输电领域，成功打破了国外巨头对该市场的垄断局面，对于推动我国igbt及其应用产业的发展具有里程碑意义。

来源：光明网2015-11-20

十二五有一个很大的飞跃，比如说，2014年，世界第二条、中国首条8英寸igbt专业芯片生产线正式投产，中国南车掌握了igbt芯片设计-芯片制造-模块封装-系统应用完整产业链技术。

来源：科技部2015-11-19

支持年限：2016年1月-2020年12月拟支持项目数：1项2.2电机驱动控制器功率密度倍增技术(重大共性关键技术类)研究内容：研究igbt芯片、驱动电路、电量传感器、温度传感器等部件关键技术，高可靠性

来源：北极星输配电网2015-11-16

支持年限：2016年1月-2020年12月拟支持项目数：1项2.2电机驱动控制器功率密度倍增技术(重大共性关键技术类)研究内容：研究igbt芯片、驱动电路、电量传感器、温度传感器等部件关键技术，高可靠性

来源：北极星电力网2015-07-03

它结合了igbt5和创新.xt技术，是igbt芯片和模块技术发展的一个重要里程碑。igbt5降低静态和动态功率损耗，提高功率密度，结合了xt模块工艺技术的高温特性及特强的功率循环周次从而延长产品寿命。

来源：电气中国杂志2015-02-10

另一方面，igbt国产化曙光再现，南车株洲所8英寸igbt芯片正式下线，即将批量化生产，igbt中国芯正在逐步得到解决。...2014年igbt产业最大亮点应属8英寸igbt芯片实现完全国产化。2014年6月，全球第二条、国内首条8英寸igbt专业芯片线在南车株洲所建成投产。

来源：电气中国2014-11-19

2012年，南车株洲所率先在国内研制出3300v高压igbt芯片，随后，又成功研制出4500v、6500v等更高电压等级的igbt芯片及模块，显示出我国在该领域强劲的发展势头。

来源：OFweek 工控网2014-11-03

华微电子是国内第一家突破igbt芯片制造的上市公司，因此受到投资者关注。2014年第三季度公司营业额为9.53亿元，归属上市公司股东的净利润为0.27亿元。

来源：观察者网2014-10-13

igbt器件产业分为igbt芯片设计、芯片制造和igbt器件封装三部分。其中芯片设计和制造又是最为尖端的环节，高端igbt芯片的成本约占igbt模块的50%左右。

来源：OFweek 工控网2014-09-02

华微电子是国内第一家突破igbt芯片制造的上市公司，因此受到投资者关注。

来源：中国科学报2014-06-23

长期以来，我国igbt芯片及相关产品99%以上依赖进口。...中国工程院院士丁荣军介绍，igbt芯片技术从6英寸发展到8英寸不仅是量上的变化，更是质的飞跃，其突破了新颖的元胞与保护环设计、高能质子掺杂、芯片铜金属化工艺等关键技术，使芯片负载提高了50%，材料成本下降了