来源：济南市工业和信息化局2026-03-30

自适应控制技术精准模拟同步发电机特性，提升与发电机、pcs 等组成的微电网系统在弱电网场景下的稳定运行能力；（3）主从式多机并联协同控制技术，实现多机同步时序精准控制、并机环流主动抑制，解决功率分配不均问题；（4）第三代半导体sic mosfet

来源：深圳市科技创新局2025-04-01

新型宽禁带半导体器件及车规级芯片布局碳化硅和氮化镓等第三代宽禁带和氧化镓、氮化铝、金刚石等第四代超宽禁带的新型半导体器件开发，研究异质集成及高功率密度集成供电芯片，研究新型器件结构、3d封装和集成冷却技术；研究高压大电流igbt/mosfet

来源：北极星输配电网2024-02-07

芯联集成从2021年起开始投入碳化硅mosfet芯片、模组封装技术的研发和产能建设，公司在两年时间内完成了三轮技术迭代，碳化硅mosfet的器件性能已经与国际先进水平同步，是国内规模化量产最大的碳化硅mosfet

来源：金升阳2023-12-25

一、产品介绍基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大；对于新能源充电桩、光伏svg行业，igbt/sic mosfet的应用广泛，而驱动电源作为专为igbt/sic mosfet驱动器提供驱动能力的来源

来源：中国能源新闻网2023-12-14

今年，双方持续深化合作，全力攻坚核心元器件国产化，实现国产sic-mosfet替代进口igbt功率芯片，并正式投入应用。...现场联调结果的成功，标志着首台基于国产sic-mosfet（碳化硅场效应管）的低压配电网柔性调控装置在嘉兴平湖投运，处于国际领先水平。

来源：SGB2023-11-07

其工艺技术平台覆盖jbs和mosfet等，已建成自主知识产权的车规级650v/750v/1200v碳化硅jbs工艺平台、650v/750v/1200v碳化硅mosfet工艺平台。

来源：国家国防科技工业局2023-07-14

碳化硅mosfet能让整车性能大幅提升。基于碳化硅的新一代新能源汽车平台，可使充电速度提高5-10倍，续航里程提高8%以上，损耗降低50%。...国基南方、55所聚焦强链补链，持续推进新能源汽车用碳化硅mosfet关键核心技术攻关和产业化应用，贯通碳化硅衬底、外延、芯片等全产业链量产平台，率先在新能源汽车、光伏、智能电网等领域规模化应用，累计保障超过

来源：国家电网报2023-07-04

国网智能电网研究院有限公司依托国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项，成立碳化硅功率器件攻关团队，潜心攻关碳化硅器件制造和碳化硅高端电力电子装备关键技术，突破了国产6.5千伏碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管（mosfet

来源：深圳市发改委2023-01-28

本措施重点支持面向锂离子电池、钠离子电池、镁离子电池、液流电池等先进电化学储能技术路线的原材料、元器件（igbt、mosfet、dsp等芯片）、工艺装备、电芯模组、电池管理系统（bms）、能量管理系统（

来源：绍兴市人民政府2022-11-09

重点聚焦晶圆凸块、晶圆级封装等先进技术，建立国内领先的先进封测生产线和封装技术研发中心，研究和推动薄膜型探针卡技术产业化，重点实现a-ewlb量产及2.5d/3d封装等先进技术开发和量产，推进igbt、mosfet

来源：广州金升阳科技有限公司2022-11-03

三、产品应用作为igbt/sic mosfet专用驱动电源，可用于光伏逆变器、电机驱动、充电桩等多种场合中igbt/sic mosfet器件的驱动，以光伏svg系统为例，可配合驱动芯片来共同驱动后端的igbt

来源：重庆市人民政府2022-07-18

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：重庆市招商局2022-06-10

晶圆制造环节，聚焦以特色工艺为主攻方向，以idm（整合原件制造）为主要路径，积极引进一批技术含量高、投资强度大、引领带动强的重大晶圆制造项目，投建生产模拟和数模混合芯片、igbt（大功率绝缘栅双极型晶体管）、mosfet

来源：南宁市人民政府2022-05-26

抢抓新一代半导体制发展机遇，依托桂芯、科林集成电路封装测试项目和瑞声科技声学mems封测项目，实施特色存储芯片引进项目，突出特色，坚持不求大、不求最高工艺、务求实际可行的原则，在mems、mcu、mosfet

来源：重庆市经济和信息化委员会2022-05-10

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：重庆市经济和信息化委员会2022-05-09

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：北极星输配电网2022-03-10

研制出3300v/1500a焊接型、3300v/3000a压接型和4500v/3000a压接型igbt器件等一系列电力电子器件，研制并完成6500v/400a sic mosfet模块封装，应用于电力电子变压器研发

来源：河北省工信厅2021-04-01

混合集成电路、电力电子器件、敏感元器件及专用传感器、新型机电元件、高密度印刷电路板和柔性电路板等）；高端电容膜、高端硒鼓和墨粉、电子纸、石墨烯、金刚石、蓝宝石、电子特气等材料；igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet

来源：能源评论·首席能源观2021-01-13

除了igbt，这类芯片还包括金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）、功率双极型晶体管和晶闸管等。除了电力电子芯片，能源电力行业中还大量使用了主控芯片、电力载波芯片和传感器芯片等。...在模式上，可以支持电力企业构建虚拟垂直一体化模式开发mosfet、igbt等，让芯片设计企业和芯片制造厂实现深度绑定，在控制成本的前提下实现一体化，推进定制开发，实现做精做优。

来源：悦智网2020-04-22

igbt结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）驱动功率小、开关速度快以及双极型晶体管（bjt）通态压降低、载流能力大的优点。