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国电南瑞拟与国网联研院共同投设南瑞联研功率半导体公司

北极星输配电网  来源:北极星输配电网  作者:Kung  2019/10/18 9:07:44  我要投稿  
所属频道: 保护与控制  关键词:IGBT 国电南瑞 联研院

北极星输配电网讯:北极星输配电网获悉,近日国电南瑞发布公告称,为加快公司产业链延伸和产业升级,增强企业核心竞争力,提高募集资金使用效率和效果,降低募投项目投资风险,公司拟与国家电网有限公司下属科研单位全球能源互联网研究院有限公司共同投资设立南瑞联研功率半导体有限责任公司。

其中国电南瑞以“IGBT模块产业化项目”的部分募集资金55,864.45万元出资,占合资公司69.8305625%股权,联研院以技术作价出资24,135.55万元(该出资技术的评估值已经国有资产管理单位备案),占合资公司30.1694375%股权。

上述事项将增加IGBT模块产业化项目的实施主体暨对外关联投资,相关募集资金用途、建设内容、地点等不变。联研院系国电南瑞最终控股股东国网公司下属全资子公司,本事项构成关联交易,本次关联交易不构成《上市公司重大资产重组管理办法》规定的重大资产重组。同时因本事项涉及增加募投项目实施主体,需提交股东大会审批,关联股东回避表决。

“IGBT模块产业化项目”是上述募集资金投资项目之一,项目原计划全部由国电南瑞母公司实施,项目投资总额为164,388万元(其中:工程建设支出19,418万元、设备投资139,970万元、研发支出5,000万元),项目建设期42个月,项目投产后第7年达到本项目预计的生产能力,该项目税后内部收益率为14.94%,静态回收期为8.12年。截止2019年8月31日,该项目已累计使用募集资金2,370.53万元,占总投资1.44%,剩余募集资金162,017.47万元(不含利息)。

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是国家产业政策重点支持发展的功率半导体器件,技术难度大、研发及产线建设周期长、资金投入大,核心技术一直被国外企业垄断,目前国内高端人才缺乏,国内仅有少量厂商开展高压IGBT研制业务。联研院是国网公司直属科研单位,国内首家专业从事全球能源互联网关键技术和设备开发的高端科研机构。联研院于2010年开始研究功率半导体器件,拥有100多人的技术团队和先进的功率器件中试线,是国内少数掌握高压IGBT芯片设计技术的单位之一。在功率半导体器件领域,联研院承担国家科技重大专项(02专项)“国产高压大功率IGBT模块电力系统应用工程”等攻关任务,自主研发了1200V至4500V系列IGBT、FRD芯片及器件,其中3300V/1500A压接式和焊接式IGBT器件,掌握成套的设计、制备等核心技术,打破了国外技术垄断,成功研制1200V至6500V碳化硅二极管样品,实现了新一代电力电子器件的重大创新突破。

通过与联研院合作,有利于公司降低IGBT等功率器件技术研发及产品批量化生产的风险,保障中低压、加快高压IGBT等功率半导体芯片及模块研制和产业化进程。为加快公司产业链延伸和产业升级,增强企业核心竞争力,提高公司募集资金使用效率和效果,降低公司募投项目投资风险,公司拟以“IGBT模块产业化项目”部分募集资金出资与联研院共同设立合资公司,并增加合资公司为该项目的实施主体。

技术入股:

(1)技术入股范围:联研院技术出资范围为1200V焊接型、1700V焊接型、3300V焊接型及压接型、4500V焊接型及压接型IGBT和FRD芯片的设计、工艺、测试等整套的技术交底文件和资料、专利等知识产权;1200V焊接型、1700V焊接型、3300V焊接型IGBT模块的材料清单、设计和工艺、原理与应用、模块测试报告及典型应用示例等技术交底文件和资料、专利等知识产权。芯片工艺线建设和封装线建设的技术经验。

(2)双方共同委托国有资产管理单位认可且具有证券从业资质的第三方评估公司对拟出资技术价值进行评估,以经国有资产管理单位备案的评估值作为作价出资的依据。

(3)技术出资方应确保合资公司生产和研发中使用的技术不存在权属争议。

(4)除初期技术入股外,合资公司设立后,双方可以技术作价入股方式将功率半导体相关成熟技术注入合资公司,不允许第三方以技术作价入股,但在合资公司迫切需要某项功率半导体相关成熟技术,而联研院不具备该项成熟技术且不具备替代技术情况下,允许合资公司购买第三方相关技术或第三方以技术作价入股方式将相关成熟技术注入合资公司。(5)任何一方拟注入技术在不具备作价入股条件前,在另一方认可技术使用必要性和使用价格的情况下,可以有偿技术许可方式授权合资公司使用。

(6)技术方式入股后,对技术的迭代或优化成果以及基于原技术产生的新技术归合资公司所有,允许原技术持有方以科研为目的使用作价入股的技术成果。

(7)关于技术评估范围内1200V、1700VIGBT芯片升级版本,联研院根据合资公司规划产品路线图,给出产品研发计划表,满足合资公司的市场需求。

(8)联研院初期作价入股至合资公司的技术,在初期入股技术评估所采用的产品生命周期(20年)内,因为联研院以新研发的同一电压等级的新技术作价入股,影响到其市场和价值的,新作价入股技术的评估值应酌情扣减。

(9)为确保合资公司技术成果顺利实现产业化,合资公司完成工商注册30个工作日内,联研院应组建不少于30名专业IGBT研发人员的技术成果转化团队(具体人员双方协商确定),优先从事第一批作价技术成果的产业化支撑和迭代优化,以及第二批1200V/1700V沟槽栅型IGBT芯片及IGBT模块的研发,直至首期共两批作价技术成果全部实现连续三批次批量化稳定生产。技术产业化实现情况作为技术成果转化团队业绩考核的主要依据。

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