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国家技术发明奖二等奖 高压大电流IGBT芯片关键技术及应用

2019-03-27 11:12来源:国家科学技术奖励工作办公室关键词:智能电网IGBT国家技术发明奖收藏点赞

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主要知识产权证明目录(第一完成人在纸质提名书签名):

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主要完成人:

姓名:刘国友

排名:1

行政职务:副总工程师

技术职称:教授级高工

工作单位:株洲中车时代电气股份有限公司

完成项目时所在单位:株洲中车时代电气股份有限公司

对本项目技术创造性贡献:作为项目的负责人,主持高压IGBT关键技术研究开发,负责制定芯片设计及工艺总体技术方案;主持IGBT芯片结构设计及其关键工艺试验。对该项目技术发明点1-3都做出了创新性的贡献。 项目核心发明专利第一发明人(附件1.1.1、1.1.2),项目重要发明专利附件第一发明人(附件2.2.3、2.2.5、2.2.7),论文第一作者(附件2.2.11、2.2.12)。

曾获国家科技奖励情况:2010年国家科技进步二等奖,“特大功率电力电子器件技术及推广应用”(排名第3)

姓名:盛况

排名:2

行政职务:院长

技术职称:教授

工作单位:浙江大学

完成项目时所在单位:浙江大学

对本项目技术创造性贡献:负责IGBT芯片及其封装基础理论研究,提出了IGBT动静态解析模型,完成高压IGBT芯片导通损耗、开关损耗建模及设计仿真,为高压IGBT芯片设计特别是导通损耗与关断损耗的优化提供解决方案。对项目技术发明点1-3做出了创造性贡献。 项目重要发明专利第一发明人(附件2.2.4),项目重要发明专利主要发明人(附件2.2.2),项目论文主要作者(附件2.2.9、2.2.10)。

曾获国家科技奖励情况:无

姓名:罗海辉

排名:3

行政职务:副主任

技术职称:教授级高工

工作单位:株洲中车时代电气股份有限公司

完成项目时所在单位:株洲中车时代电气股份有限公司

对本项目技术创造性贡献:完成高压高电流密度IGBT理论研究,负责IGBT芯片关键技术的研究,突破IGBT芯片参数均匀性的提升,并主持IGBT芯片制造工艺研究与开发。对技术发明点1-3有创造性贡献。 项目核心发明专利第一发明人(附件1.1.3),项目重要发明专利主要发明人(附件1.1.1、2.2.8),论文主要作者(附件2.2.11、2.2.12)。

曾获国家科技奖励情况:无

姓名:覃荣震

排名:4

行政职务:芯片设计主管

技术职称:高级工程师

工作单位:株洲中车时代电气股份有限公司

完成项目时所在单位:株洲中车时代电气股份有限公司

对本项目技术创造性贡献:完成高压高电流密度IGBT理论研究,负责完成高压IGBT芯片结构设计,从结构上设计上提升IGBT芯片必须具备的高功率容量、低损耗及宽安全工作区等特性。对项目技术发明点1-3做出了创造性贡献。 项目核心发明专利主要发明人(附件1.1.1、1.1.2),项目重要发明专利主要发明人(附件2.2.3、2.2.5、2.2.7),论文主要作者(附件2.2.12)。

曾获国家科技奖励情况:无

姓名:黄建伟

排名:5

行政职务:副总工程师

技术职称:教授级高工

工作单位:株洲中车时代电气股份有限公司

完成项目时所在单位:株洲中车时代电气股份有限公司

对本项目技术创造性贡献:负责高压高功率密度IGBT理论研究与芯片设计,完成高压IGBT芯片关键工艺技术研究、工艺流程的整合与优化,提高了芯片工艺的均匀性、稳定性及成品率。对项目技术发明点1-3有创造性贡献。 项目核心发明专利主要发明人(附件1.1.1、1.1.2),项目重要发明专利主要发明人(附件2.2.3、2.2.5、2.2.7、2.2.8),论文主要作者(附件2.2.12)。

曾获国家科技奖励情况:无

姓名:肖海波

排名:6

行政职务:芯片产品主管

技术职称:工程师

工作单位:株洲中车时代电气股份有限公司

完成项目时所在单位:株洲中车时代电气股份有限公司

对本项目技术创造性贡献:完成高压高电流密度IGBT产品实现,负责完成高压IGBT/FRD芯片流程和工艺实现,改善了导通损耗与关断损耗矛盾、解决了终端高应力等问题,实现低损耗及宽安全工作区等特性。对项目技术发明点1、3做出了创造性贡献。 项目重要发明专利主要发明人(附件1.1.3、2.2.6、2.2.8)。

曾获国家科技奖励情况:无


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